探索了锡粉促进下,以1,4-二氧六环为溶剂,在室温条件下,通过醛、芳胺和2-溴甲基丙烯酸乙酯的烯丙基化反应,合成α-亚甲基-γ-氨基酸酯的方法.该方法不需使用任何催化剂,具有高效、环境友好、价格低廉和操作简便等特点

为了探究一维导电掺锑氧化锡的制备条件,分别以SnCl4·5H2O和SbCl3为Sn源和Sb源,以NaOH为沉淀剂,添加Na2SiO3·9H2O和Na Cl作为烧结助剂制备掺锑氧化锡（ATO）纳米棒,研究前驱体反应条件对ATO

通过调整高能球磨工艺参数,于不同工艺条件下制备了氧化锡粉体,分别测试了对应粉体的比表面积,并利用扫描电镜观察粉体的微观形貌。结果显示:对于80 mL的球磨罐体,球料质量比为20∶1,填充率为40%,直径分别为8,6,4 mm

利用高能球磨工艺,制备了不同氧化镧掺杂量的氧化锡粉体。研究了粉体的比表面积、微观形貌和物相结构,测试了镧掺杂前、后氧化锡粉体的本征电阻及其对乙醇的气敏性能。结果显示:随氧化镧掺杂量增加,氧化锡衍射峰沿2θ升高方向偏移,偏移程

锡在质谱仪中的记忆效应较为严重,故消除锡粉基体效应是采用质谱法对锡粉中杂质元素进行测定的前提。采用王水加热溶解锡粉样品后,加入4mL氢溴酸-盐酸混酸(V/V=1∶1),于110℃高温下挥发除锡约0.5h,重复挥发过程共3次,

用铜粉、环氧树脂、改性胺类固化剂、硅烷偶联剂、奇士增韧剂、稀释剂等制备铜粉导电胶。比较了铜粉的粒径及添加量、铜粉表面处理、导电胶基料、固化时间等对导电性能的影响,并对导电胶性能进行测试,最终选定最合适的导电胶配方。

在浸没循环撞击流反应器（SCISR）中，采用五水硫酸铜为原料，以硼氢化钾为还原剂制备纳米铜粉。确定了制备纳米铜粉的适宜工艺条件是：Cu2＋的浓度为0.2 mol/L，硼氢化钾与硫酸铜物质的量比为1∶1，氢氧化钾与硼氢化钾物质

目的解决现有氯化盐体系和硫酸盐体系下，铜粉浸镀锡存在的问题。方法以甲基磺酸锡为主盐。硫脲为络合剂，对铜粉进行浸镀锡，并分析锡离子浓度、硫脲浓度、甲基磺酸加入量及镀液温度等因素对锡镀层微观形貌的影响。结果在甲基磺酸盐体系下，锡

微米尺寸Ag2O焊膏相对于纳米银焊膏成本低廉且在高温电子互连封装行业中有应用前景．为了进一步降低连接成本及提高接头的抗电化学迁移能力，向Ag2O焊膏中加入镀银铜粉制得了新型混合焊膏．文中对比了用原有微米尺寸Ag2O焊膏与加入

采用硼氢化钠还原氢氧化锡，在铜粉表面进行化学镀锡，得到镀锡铜粉。用两面粗糙度不同的铜箔替代铜粉进行模拟试验，以研究锡层在铜粉表面的包覆情况和微观结构以及高温处理和制备方法对镀锡层显微结构的影响。结果表明，铜粉表面完整地包覆了